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Laser Optik Systeme


Laser-Optik-Systeme für Kristallisation, Annealing, Aktivierung und Lift Off

INNOVAVENT Laser-Optik-Systeme für Kristallisation, Annealing und Aktivierung von Halbleitern werden modular zusammengestellt und in enger Zusammenarbeit mit Systemintegratoren für Prozesse und Endkunden entwickelt und hergestellt. Die Produktpalette reicht vom einfachen Optiksystem zur Erzeugung eines Linienfokus mit einer Laserquelle bis zu komplexen Subsystemen, bestehend aus Laser, Homogenisiereroptik, Abbildungsobjektiv und Strahldiagnostik.
VOLCANO® Laser Optik verwendet zylindrische Optik für die Fokussierung und Abbildung von Gauß-Strahlen. Insbesondere werden damit lange Linien bis 250 mm Länge erzeugt, die in der Scanachse eine Halbwertsbreite von 20-50 µm oder mehr haben können. Für die zylindrische Abbildung werden INNOVAVENT FALCON® Objektive eingesetzt. In der VOLCANO® Laser Optik werden Laser mit der Wellenlänge 515 nm oder 532 nm (G-Version) und 343nm oder 355nm (UV-Version) verwendet.

Die VOLCANO® LB (LINE BEAM) Laser Optik erzeugt eine gaußförmige Linie mit einer Breite von 20-50 µm FWHM mit einer Länge von 300-750mm bis zu 1000mm.

In der G-Version wird Laserlicht der Wellenlänge 532 nm über Lichtleitfasern mit hohen Leistungen in das Optikmodul geführt. Diese Methode erlaubt mehrere Festkörperlaserquellen zu kombinieren und eine Energiedichte von >500 mJ/cm² in einer 750 mm  langen Laserlinie zu erzeugen. Mit dieser Liniengeometrie können 50-70nm a-Si Schichten in p-Si-Schichten umgewandelt werden, die in der Fertigung von hochauflösenden OLED und LCD TFT Back Plates benötigt werden.

Über Freistrahl Homogenisieroptikkopplung werden 343nm UV Laserquellen  kombiniert. Die VOLCANO® UV Laser Optik wird mit gepulsten UV-Festkörperlasern (z. B. TruMicro 8320, Trumpf Lasertechnik) betrieben. Das gepulste UV-Laserlicht eignet sich Kunststofffilme von Glassubstraten zu lösen (Laser Lift-Off). Darüber hinaus ist die Verwendung dieser Laserquellen geeignet den ELA (Excimerlaser Annealing) Kristallisationsprozess mit regelmäßigen p-Si Kornstrukturen nachzubilden und in der Herstellung hochauflösender OLED Displayfertigung einzusetzen.

Die Produktgruppe LAVA® Laser Optik verwendet sphärische Abbildungsobjektive. Das CaF2 Hochleistungsobjektiv EAGLE® plus ist frei von thermischen Linsen und ermöglicht 2-dim scharfe Linien in einem Bildfeld bis 10 mm Durchmesser. Das Objektiv ist für IR (1064nm) und für die grüne Wellenlängen 515nm und 532nm verfügbar und eignet sich für gepulste Laserquellen und cw-Laserquellen.

Für Großfeldbelichtungen bis 9cm² zur Herstellung von Speicherchips wurden 2x und 2,5x LAVA Objektive mit einer numerische Apertur von 0,05 und einem Bildfeld bis 45mm Durchmesser entwickelt. Homogenierer-Beleuchtungssysteme erlauben mehrerer Laserquellen zu multiplexen, so dass große Energiedichten bis 1 J/cm² z. B. mit lampengepumpten Nd:YAG Laserlichquellen erzeugt werden können. Die homogenisierten Felder erreichen eine Homogenität von besser als 1 Sigma=2%.


Lava Laser Optics
VOLCANO LB 750UV-6, Linienstrahloptik, die bis zu 6x TruMicro 8320 (180W, 10kHz, 15ns, 343nm) Laser kombiniert.
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AFM-Bild der regelmäßigen p-Si Struktur erzeugt mit UV-SLA (Solid State Laser Annealing).
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Homogene Lichtbeugung einer SLA belichteten a-Si-Beschichtung in Scanrichtung
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21mm x 14mm Beleuchtungsfeld
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Letzte Aktualisierung: 05.11.2016
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